王氏文化辑录：中科院王姓院士风采（五

王树蕲辑2010-9-11

信息技术科学部
王大珩，应用光学家。原籍江苏苏州，1915年2月26日生于日本东京。1936年毕业于清华大学。中国科学院长春光学精密机械研究所研究员、所长、名誉所长。1955年选聘为中国科学院院士（学部委员）。我国光学事业奠基人之一。为国防现代化研制各种大型光学观测设备有突出贡献为我国的光学事业及计量科学的发展起了重要作用。50年代创办了中国科学院仪器馆，以后发展成为长春光学精密机械研究所。领导该所早期研制我国第一蜗光学玻璃、第一台电子显微镜、第一台激光器，并使它成为国际知名的从事应用光学和光学工程的研究开发基地。1986年和王淦昌、陈芳允、杨嘉墀联名，提出发展高技术的建议（“863”计划）。还与王淦昌联名倡议，促成了激光核聚变重大装备的建设。提倡并组织学部委员主动为国家重大科技问题进行专题咨询，颇有成效。1992年与其他五位学部委员倡议并促成中国工程院的成立。1999年荣获“两弹一星功勋奖章”。

王家骐，光学仪器专家。中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员。1940年2月生于江苏苏州。1963年毕业于哈尔滨工业大学，1966年获中国科学院长春光学精密机械研究所硕士学位。现任长春光学精密机械与物理研究所学术委员会主任，兼任中国仪器仪表学会精密机械分会理事长、空间科学学会空间机械分会主任委员。2005年当选为中国科学院院士。长期从事大型光学精密仪器设计、空间对地图像信息获取技术研究及总体误差理论分析。研究和开发了我国重大和重点工程需求的多种型号的大型、高集成度和高精密度的光学和光电仪器，突破了一系列关键技术，提高了我国有关领域的技术水平。

王启明，光电子学家。1934年7月3日生于福建。1956年毕业于复旦大学物理系。中国科学院半导体研究所研究员。1991年当选为中国科学院院士（学部委员）。参与筹建中国半导体测试基地，建立了一系列材料测试系统。1963年开始致力于半导体光电子学研究，在中国首先研制成连续激射的室温半导体激光器，先后使短波长和长波长激光器寿命突破10万小时，达到实用水平。发现了双异质结构激光器中出现反常自脉动，正向负阻开关和记忆开关等现象，提出了双光丝Ｑ开关机制，界面态载流子陷落存贮机制以及自掺杂反向击穿机制等，为深入研究提供了理论基础。研制成量子阱激光器、调制器和光双稳激光器及开关器件，对发展光信息处理、光开关、光交换技术以及新一代光电子器件做出了贡献。

王守觉，半导体电子学家。原籍江苏苏州，1926年6月27日生于上海。1949年毕业于上海同济大学。中国科学院半导体研究所研究员。1980年当选为中国科学院院士（学部委员）。 1958年在国内首次研制成功锗合金扩散高频晶体管，并在109工厂进行小批量生产，应用于我国研制的晶体管化高速计算机。1959－1963年负责研究成功全部硅平面工艺技术，并研制成功五种硅平面型晶体管。1974年成功地用自制的图形发生器自动制版技术制成了大规模集成电路掩模版。1976年起从事新电路的探讨，提出了一种新的多值与连续逻辑高速电路——多元逻辑电路，并试用于整机。1979年后主要从事多值与连续逻辑电路系统的研究及使之应用于生产实际中。

王守武，半导体器件物理学家。1919年3月15日生于江苏苏州。1941年毕业于同济大学。1946年获美国普渡大学硕士学位，1949年获博士学位。中国科学院半导体研究所研究员、微电子中心名誉主任。1980年当选为中国科学院院士（学部委员）。 1958年筹建了我国第一个晶体管工厂。1963年起致力于砷化镓激光器的研究工作，创造了简易的光学定晶向的方法，促进了我国第一个砷化镓激光器的研制成功。1973年起，在领导研究砷化镓中高场畴的动力学以及PNPN负阻激光器的瞬态和光电特性的过程中，提出了一些很有创见的学术观点。1978年带领科技人员进行提高大规模集成电路芯片成品率的研究，解决了一系列技术难题，使我国大规模集成电路芯片的成品率有显著提高，成本大为降低。

王圩，半导体光电子学专家。1937年12月25日生于河北文安。1960年毕业于北京大学物理系半导体物理专业。中国科学院半导体研究所研究员。1997年当选为中国科学院院士。早期从事无位错硅单晶和Ⅲ-Ⅴ族化合物异质结液相外延研究，为使我国砷化镓基激光器从液氮温度提高到室温工作做出了贡献。1979年开始从事长波长镓铟砷磷四元双异质结激光器和动态单频激光器研究，其中代表性成果包括应变层多量子阱分布反馈激光器、反位相增益耦合型分布反馈激光器及其与扇形放大器单片集成的主振功放器件等，为我国光纤通信用半导体光电子器件的发展做出了贡献。

王阳元，微电子学家。1935年1月1日生于浙江宁波。1958年北京大学物理系毕业。北京大学微电子学研究所教授、所长。1995年当选为中国科学院院士。 主持研究成功我国第一块3种类型1024位MOS动态随机存储器，是我国硅栅N钩道MOS集成电路技术开拓者之一。提出了多晶硅薄膜“应力增强”氧化模型、工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系，对实践有重要的指导意义。研究了亚微米电路的硅化物/多晶硅复合栅结构的应力分布。发现磷掺杂对固相外延速率的增强效应以及CoSi2栅对器件抗辐照特性的改进作用。提出了SOI器件浮体效应模型和改进措施。发展了新型SOI器件结构，与合作者一起提出了超高速多晶硅发射极晶体管的新的解析模型和先进双极工艺技术。近期又研究亚0.1Чm器件和集成电路技术以及微机电系统(MEMS)。

王育竹，量子光学专家。1932年2月29日生于河北正定。1955年毕业于清华大学无线电工程系。1960年苏联科学院电子学研究所研究生毕业获博士学位。中国科学院上海光学精密机械所研究员。1997年当选为中国科学院院士。长期从事电磁场与原子相互作用的研究，是我国原子频标开拓者之一。建立了我国第一个量子光学开放实验室，率先开展激光冷却气体原子的研究。首次提出将光频移效应用于激光冷却气体原子。利用激光偏转原子束验证了亚泊松光子统计规律。开展了一维驻波场激光冷却原子的研究，观察到低于多普勒极限温度的现象。首次将多普勒效应用于原子干涉仪，观察到原子干涉现象。利用固体微球腔量子电动力学效应，获得了新的激光谱线。

王越，雷达与通迅系统专家。1932年4月1日生于江苏丹阳。1950年入大连大学工学院电讯系学习，1952年院系调整至中国人民解放军通信学院雷达工程系，1956年毕业。1994年选聘为中国工程院院士。北京理工大学校长、教授。1991年当选为中国科学院院士（学部委员）。长期从事电子学与通信领域的科研工作。提出并建立了我国电子工程对抗系统的理论体系，主持研制出多部高性能的火控雷达。

王占国，半导体材料物理学家。河南省镇平人。1962年毕业于南开大学物理系。中国科学院半导体所研究员。1995年当选为中国科学院院士。早期致力于半导体材料光电性质和硅太阳电池辐照效应研究。从1980年起，主要从事半导体深能级物理和光谱物理研究，提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同—缺陷不同能态的新方法，解决了国际上对GaAs中A、B能级和硅中金受主及金施主能级本质的长期争论。提出混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理模型，解释了它们的物理起因。提出了GaAs电学补偿五能级模型和电学补偿新判据。协助林兰英先生，首次在太空从熔体中生长了GaAs单品并对其光电性质作了系统研究。近年来，他领导的实验组又在应变自组装In(Ga)As／GaAs，In(Ga)As／InAlAs／InP等量子点(线)．与量子点(线)超晶格材料生长和大功率量子点激光器研制方面获得突破。最近，他又提出了柔性衬底的概念，开拓了大失配材料体系研制的新方向。

王之江， 物理学家。1930年11月21日生于浙江杭州，籍贯江苏常州。1952年毕业于大连大学工学院物理系。中国科学院上海光学精密机械研究所研究员。1991当选为中国科学院院士（学部委员）。 在光学设计方面，发展了象差理论和象质评价理论，形成了新的理论体系，完成了大批光学系统设计（如照相物镜系统、平面光栅单色仪、长工作距反射显微镜、非球面特大视场目镜、105#大型电影经纬仪物镜等）在激光科学技术方面，领导研制成中国第一台激光器，并在技术和原理上有所创新。70年代领导完成了高能量、高亮度钕玻璃激光系统。在这项工作中解决了一系列理论、技术及工艺问题。关于某些激光重大应用对亮度要求的判断，使工作避免了盲目性，对于中国激光科学技术起了积极作用。倡议和具体领导了中国“七五”攻关中激光浓缩铀项目。对中国光信息处理和光计算起了倡导作用。